Samsung ha presentado su memoria DRAM de 32 Gb fabricada a 12 nanometros 5h6728
por Juan Antonio Soto 1Con la del modelo con 16 Gb hace tan solo 3 meses. 3o4d30
Esta nueva capacidad ofrecerá módulos de memoria DDR5 de hasta 1 TB de capacidad, una capacidad ideal para servidores en centros de datos que necesiten mover gran cantidad de información, como los dedicados a BIG DATA. Con este chip fabricado a 12 nanómetros, se ha conseguido mejorar la eficiencia y la densidad en un solo chip, duplicando la capacidad conservando el mismo tamaño. Se ha conseguido reducir el consumo energético con estos chips en hasta un 10% en los módulos de 128 GB que ahora se podrán fabricar sin el proceso TSV (Through Silicon Via).
Samsung espera comenzar la producción en masa de estos nuevos chips DDR5 a 12 nanómetros para finales de este año, y comenzar a distribuir en el 2024.
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