Samsung lanza la primera memoria DRAM CXL 2.0 con un ancho de banda de hasta 35 GB/s 6s1z2p

Samsung sigue trabajando en la memoria DRAM CXL y acaba de anunciar su nuevo modelo con interfaz avanzada CXL 2.0 de 128 GB. Esta nueva memoria está prevista para su producción en masa este mismo año y así ofrecer a los servidores y centros de datos todas sus ventajas incluidas en esta nueva versión. Esta nueva memoria más rápida ha sido fruto de un trabajo en colaboración con Intel y su plataforma para servidores Xeon. 46265r

La nueva memoria DRAM CXL 2.0 de Samsung ahora es compatible con la interfaz PCI Express 5.0 con 8 carriles capaz de proporcionar un ancho de banda de 35 GB/s. Este tipo de memoria CXL reducir el coste en hardware, así como los costes operativos maximizando la eficiencia y disponibilidad de memoria RAM.

Samsung tiene planeado la producción en masa de esta memoria DRAM CXL 2.0 para finales de este 2023, con una oferta que abarcará diferentes capacidades. La memoria CXL es capaz de trabajar junto a la RAM principal, expandiendo su ancho de banda y capacidad, para ofrecer mayor rendimiento en los servidores y centros de datos. Esto permitirá abordar las nuevas tecnologías que demandan una gran cantidad de memoria como la inteligencia artificial y el aprendizaje automático.

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