El SSD chino UNIS S5 alcanza los 14,9 GB/s de lectura y 12,9 GB/s de escritura sin DRAM 2t54v

Para seguir con su propuesta de hemos visto de diferentes marcas. 3mr2e

La característica principal de este disco no es solo leer a 14,9 GB/s, sino que también es capaz de escribir a 12,9 GB/s, una velocidad de escritura que tampoco pasa desapercibida. Este disco SSD utiliza una controladora propia fabricada con un nodo de 12 nanómetros, y desarrollada por la propia UNIS utilizando tecnología HMB Host Memory Bufer, a pesar de contar (supuestamente) con menos eficiencia que usando DRAM. Sin embargo, su rendimiento es de 1,8 millones de IOPS de lectura y hasta los 1,7 millones de IOPS para escritura.

La compañía también ha lanzado la versión Ultra de este SSD S5, un SSD que cuenta con una controladora propia, pero con un nodo más avanzado de 6 nanómetros. La versión ultra no supera en lectura al anterior, que alcanza los 14,2 GB/s, pero si que supera en escritura con sus 13,4 GB/s. Tiene un rendimiento de 4k de 1.7 millones de IOPS de lectura y 1.6 millones de IOPS de escritura. Ambos modelos utilizan un disipador de grafeno para mantener temperaturas.

Este nuevo disco SSD UNIS S5 es un ejemplo a seguir en cuanto a rendimiento, ya que hay muy pocas unidades que sean capaces de superar estas cifras de lectura y escritura. Lo que se desconoce es su precio, un factor también importante a la hora de sorprender junto a estas destacadas velocidades de lectura y escritura.

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